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O ponto de fusão de cobre e tungsténio são dois metais variam muito, ponto de fusão de tungsténio de 3410 ℃, muito mais elevada do que o ponto de cobre e tungsténio incompatíveis de ebulição, e, por conseguinte, a preparação de cobre-tungsténio método da metalurgia do pó compósito pode ser usado. Melhorar a densidade do material e outras propriedades de vista, os estudiosos estrangeiros tungsténio-preparação do material de cobre realizadas de extensa pesquisa, os principais métodos de preparação incluem a infiltração método, o método de sinterização de fase líquida activada, o método de co-precipitação química e a compactação do pó explosivo.

Em que a haste de cobre de tungstênio transformação de nossa empresa, principalmente com a infiltração, o principal processo de produção é: moagem - mistura - pressionando - sinterização - infiltração.

Haste de cobre de tungstênio processos produtivos principais são as seguintes:
Infiltração, também chamado método de lixiviação é o uso da força de capilaridade do baixo ponto de fusão do metal líquido molhar o enchimento certa densidade e resistência do esqueleto da matriz porosa, o fluxo de metal fundido ao longo da diferença de partículas de enchimento de poros W partes porosas, para assim se obter um material mais denso, com a tenacidade W-Cu preparados por este método pode ser grandemente melhorada.

Infiltração de alta temperatura de sinterização de tungsténio quadro infiltração de cobre e baixa temperatura de sinterização porção de pó misto de métodos de infiltração cobre. Após a alta temperatura de sinterização o esqueleto de infiltração cobre é sinterizado a alta temperatura de pó de tungsténio hidrogénio press-moldado, o cobre é superior ao ponto de o cobre fundido infiltrado esqueleto de tungsténio de fusão dependem de acção capilar. Além disso, devido à alta temperatura de sinterização, redução suficiente de pó de tungsténio, de baixo ponto de fusão e impurezas não é fácil para restaurar a fora-óxido pode ser decomposto e volatilizados pelo calor, obtido através desta estrutura de alta resistência, tendo as operações de arco para evitar o surgimento do fenômeno da queima. Atualmente, um número de alta tensão disjuntores a vácuo médias e alterna o desenvolvimento e aplicação de contato à base de cobre tungstênio tem sido muito comum, no entanto, lei-quadro sinterização de tungstênio de alta temperatura tem suas deficiências, o processo de produção é complicado, a longo ciclo de produção, elevados custos de produção limitações de sua aplicação.

Após a baixa temperatura de sinterização do pó misto de infiltração cobre é parte do pó de tungsténio misturado com uma pequena quantidade de pó de cobre e aditivos de sinterização (normalmente pó de níquel), a temperaturas mais baixas, pré-sinterizadas em hidrogénio, e, em seguida, efectuar a infiltração de sinterização cobre. Esta abordagem tem de assegurar que o processo de sinterização, restaurar a infiltração completa e desgaseificação, e vácuo de cobre e alta processo de desgaseificação a vácuo, a fim de se obter um teor de gás de baixo do material de cobre tungsténio vácuo. Liga de W-Cu produzido por este método, o cobre ao longo dos limites de grão de tungsténio, tungsténio esqueleto forte como método de sinterização a alta temperatura, como os materiais em contacto com o circuito disjuntor, com tendência para a erosão fenómeno. Este método de maior composição da matéria-prima ou o produto conterá mais impurezas e gases. No entanto, este processo simples método, apropriado para a fabricação em grande 20% do teor de cobre da liga de W-Cu.
No geral, existem algumas falhas sinterização infiltração, cobre líquido sozinho esqueleto tungstênio ação poro capilar infiltração densificação mais lento, menos densificação. Thick fase de solidificação de cobre ea distribuição não é uniforme, mas também fazer partículas de tungstênio de sinterização de alta temperatura cresceram juntos, formando um tecido de espessura desigual, cobre líquido transborda excessiva segregação componente ocorreu, ea distorção dimensional alta temperatura sério.

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